產(chǎn)品太陽能電池板:分別包含環(huán)氧樹脂封裝電池板(PET工藝組件)單晶硅、多晶硅,以及層壓鋼化玻璃封裝大型組件和非晶硅太陽能板。也可按各種殼料或來料太陽能板加工生產(chǎn)。

摘要:隨著硅片技術(shù)的不斷發(fā)展,硅片背表面沉積多晶硅技術(shù)得到了廣泛應(yīng)用。在硅片背表面沉積多晶硅時(shí),溫度是其整個(gè)過程中重要的控制參數(shù)。通過改變620℃與660℃。

(2)多晶硅太陽能電池多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多,但是多晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少,其光電轉(zhuǎn)換效率約15%左右。從制作成本上來講。詳情>>組件定義-組件特點(diǎn)-組件種類-全部

硅熔煉,硅熔煉(siliconsmelting)是指用碳質(zhì)還原劑還原硅礦石產(chǎn)出元素硅的過程。硅的工業(yè)產(chǎn)品有精制工業(yè)硅、多晶硅、單晶硅三種。硅熔煉一般是指粗硅的生產(chǎn)。硅。詳情>>簡(jiǎn)介-工業(yè)硅熔煉過。-原理-爐料準(zhǔn)備-全部

鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì),它們的存在會(huì)使PN結(jié)性能變壞。硅中碳含量較高,低。無定形硅可能成為同單晶硅并列的重要硅材料。無定形硅和多晶硅太陽電池的成。詳情>>簡(jiǎn)介-化學(xué)成分-硅的性質(zhì)-技術(shù)參數(shù)-全部

理論上MOSFET的柵極應(yīng)該盡可能選擇電性良好的導(dǎo)體,多晶硅在經(jīng)過重?fù)诫s之后的導(dǎo)電性可以用在MOSFET的柵極上,但是并非的選擇。MOSFET使用多晶硅作為的理由如。

硅的單晶體，禁帶寬度1.11eV。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚達(dá)到99.%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池、芯片等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。詳情>>基本概念-具體介紹-發(fā)展現(xiàn)狀-全部

多晶硅太陽能電池兼具單晶硅電池的高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)化等優(yōu)點(diǎn)的新一代電池，其轉(zhuǎn)換效率一般為17-18%左右，稍低于單晶硅太陽電池，沒有明顯效率衰退問題，并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶。詳情>>基本簡(jiǎn)介-電池組件-制造工藝-全部

然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案。刻蝕是用化學(xué)的、物理的或同。詳情>>正文-刻蝕分類

多晶硅太陽能板的制作工藝與單晶硅太陽能板差不多,但是多晶硅太陽能板的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少,其多晶太陽能板光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右(2004年7月1日日本夏普上市。詳情>>定義-發(fā)電原理-組成及功用-全部

可靠,低成本的維護(hù),使得在多晶硅錠的全自動(dòng)加工過程中,實(shí)現(xiàn)大量成本的節(jié)約變成可能。這些步驟根據(jù)不同的加工技術(shù)而變化,并且取決于選取的初始原材料。單晶硅硅片切克。